元件在不同气氛下使用温度和表面负荷的控制
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气氛 |
炉温（℃） |
表面负荷（W/cm³） |
对元件的影响 |
解决办法 |
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氨 |
1290 |
3.8 |
与SiC作用生成甲烷减少SiO2保护膜 |
露点激活 |
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CO2 |
1450 |
3.1 |
侵蚀碳化硅 |
用石英管保护 |
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18%CO |
1500 |
4.0 |
无影响 |
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20%CO |
1370 |
3.8 |
吸附碳粒影响SiO2保护膜 |
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卤素 |
704 |
3.8 |
侵蚀碳化硅减少SiO2保护膜 |
用石英管保护 |
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碳氢化合物 |
1310 |
3.1 |
吸附碳粒而导致热污染，分解的碳沉积，易造成电器故障 |
送进充分的空气 |
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氢 |
1290 |
3.1 |
与SiC作用反应生成甲烷减少SiO2保护膜 |
露点激活 |
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甲烷 |
1370 |
3.1 |
吸附碳粒而导致热污染 |
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N |
1370 |
3.1 |
与SiC反应形成氮化硅绝缘层 |
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Na |
1310 |
3.8 |
侵蚀碳化硅 |
用石英管保护 |
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SO2 |
1310 |
3.8 |
侵蚀碳化硅 |
用石英管保护 |
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真空 |
1204 |
3.8 |
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氧 |
1310 |
3.8 |
碳化硅被氧化 |
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水（不同含量） |
1090~1370 |
3.1~3.6 |
与SiC作用生成硅的水化物 |
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根据炉子的结构、气氛、和温度正确地选择元件的表面负荷是达到最佳使用寿命的关键。下图示出了元件辐射在不同阻碍情况下的炉温、元件温度与表面负荷之间的关系。
推荐的元件表面负荷
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炉温℃ |
1100 |
1200 |
1300 |
1350 |
1400 |
1450 |
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发热部表面负荷 |
<17 |
<13 |
<9 |
<7 |
<5 |
<4 |
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